تعمیرات پذیرفته می شود
معرفی IRF9640S
IRF9640S یک MOSFET قدرت کانال P (P-Channel Power MOSFET) از محصولات Vishay Siliconix است که برای استفاده در مدارهای سوئیچینگ، کنترل توان و تجهیزات الکترونیکی قدرت طراحی شده است. این ماسفت با تحمل ولتاژ Drain-Source تا -200V و جریان Drain پیوسته تا -11A در دمای کیس 25 درجه سانتیگراد، برای کاربردهایی که به یک MOSFET کانال P با تحمل ولتاژ بالا نیاز دارند مناسب است.
این قطعه در پکیج D2PAK (TO-263) عرضه میشود و بهصورت Surface Mount روی PCB نصب میشود. طراحی D2PAK امکان دفع حرارت مناسب و استفاده از قطعه در کاربردهای توان بالاتر نسبت به بسیاری از پکیجهای SMD کوچک را فراهم میکند.
ویژگیهای IRF9640
- نوع قطعه: P-Channel Power MOSFET
- ولتاژ Drain-Source: -200V
- جریان Drain پیوسته: -11A در TC = 25°C
- جریان Drain پیوسته: -6.8A در TC = 100°C
- مقاومت Drain-Source در حالت روشن: حداکثر 0.50Ω
- شرط RDS(on): در VGS = -10V و ID = -6.6A
- حداکثر ولتاژ Gate-Source: ±20V
- شارژ کل گیت: حداکثر 44nC
- شارژ Gate-Source: 7.1nC
- شارژ Gate-Drain: 27nC
- پکیج: D2PAK (TO-263)
- نوع نصب: Surface Mount
- دمای کاری Junction: از -55°C تا +150°C
کاربردهای IRF9640
- مدارهای سوئیچینگ قدرت
- مدارهای کنترل توان
- منابع تغذیه سوئیچینگ
- مبدلهای DC-DC
- مدارهای High-Side Switching
- کنترل بارهای DC
- مدارهای حفاظت و مدیریت توان
- تجهیزات صنعتی و الکترونیکی
نحوه عملکرد IRF9640S
IRF9640S یک MOSFET کانال P است که با اعمال ولتاژ مناسب بین Gate و Source، مسیر هدایت بین Drain و Source را کنترل میکند. در حالت روشن، کاهش مقاومت مسیر Drain-Source باعث عبور جریان از ماسفت میشود و در حالت خاموش، مسیر هدایت قطع میگردد.
از MOSFETهای کانال P مانند این قطعه میتوان در مدارهای High-Side Switching استفاده کرد؛ به همین دلیل در برخی طراحیهای کنترل توان، امکان سوئیچکردن بار از سمت مثبت منبع تغذیه بدون نیاز به مدار درایور پیچیده فراهم میشود.
مقاومت RDS(on)
یکی از مشخصات مهم IRF9640S مقاومت Drain-Source در حالت روشن یا RDS(on) است. مقدار حداکثر این پارامتر در دیتاشیت 0.50Ω و در شرایط VGS = -10V و ID = -6.6A مشخص شده است.
مقدار RDS(on) در تعیین تلفات هدایتی MOSFET اهمیت زیادی دارد؛ بنابراین هنگام استفاده از قطعه در جریانهای بالا باید افزایش دما و شرایط حرارتی مدار نیز در نظر گرفته شود.
شارژ گیت و سرعت سوئیچینگ
IRF9640S دارای شارژ کل گیت حداکثر 44nC است. مقدار Gate-Source Charge برابر 7.1nC و Gate-Drain Charge برابر 27nC اعلام شده است. این پارامترها در انتخاب درایور گیت و بررسی سرعت سوئیچینگ MOSFET اهمیت دارند.
طبق دیتاشیت، زمان تأخیر روشنشدن حدود 14ns، زمان Rise حدود 43ns، زمان تأخیر خاموششدن حدود 39ns و زمان Fall حدود 38ns در شرایط تست مشخصشده است.
پکیج D2PAK و نصب SMD
مدل IRF9640S در پکیج D2PAK (TO-263) عرضه میشود. این پکیج برای نصب سطحی روی PCB طراحی شده و به دلیل ساختار آن میتواند برای کاربردهای توان بالاتر از بسیاری از پکیجهای کوچک SMD مناسب باشد.
طبق دیتاشیت Vishay، D2PAK میتواند در یک کاربرد معمول نصب سطحی تا حدود 2W توان را دفع کند. برای دستیابی به عملکرد حرارتی مناسب، طراحی صحیح مسیرهای مسی PCB و سطح دفع حرارت اهمیت زیادی دارد.
دیود داخلی MOSFET
IRF9640S دارای دیود بدنه داخلی (Body Diode) است که بخشی از ساختار MOSFET محسوب میشود. جریان پیوسته Source-Drain این دیود تا -11A و جریان پالسی آن تا -44A در شرایط تعیینشده دیتاشیت است.
نکات مهم هنگام استفاده
- حداکثر ولتاژ Drain-Source برابر -200V است.
- حداکثر ولتاژ Gate-Source برابر ±20V است.
- مقدار RDS(on) در دیتاشیت در VGS = -10V مشخص شده است.
- در جریانهای بالا، دفع حرارت و طراحی PCB باید بهدقت بررسی شود.
- جریان 11A مقدار حداکثر در شرایط مشخصشده دیتاشیت و در TC = 25°C است و نباید بدون درنظرگرفتن شرایط حرارتی بهعنوان جریان کاری ثابت در هر مدار در نظر گرفته شود.
- هنگام تعویض MOSFET، نوع کانال، پینآوت، ولتاژ VDS، جریان ID و RDS(on) را بررسی کنید.
دیتاشیت IRF9640S
برای مشاهده مشخصات کامل الکتریکی، نمودارهای عملکرد، مشخصات حرارتی، پینآوت، اطلاعات پکیج و شرایط تست میتوانید دیتاشیت رسمی IRF9640S از Vishay Siliconix را مطالعه کنید.
این دیتاشیت خانواده IRF9640S، SiHF9640S، IRF9640L و SiHF9640L را پوشش میدهد و اطلاعات نسخه D2PAK و I2PAK را نیز ارائه میکند.
دیدگاهها
حذف فیلترهاهیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.