P2503NPG

یک ترانزیستور فیلد افکت (FET) با حالت افزایشی (Enhancement Mode) نوع P است که به عنوان یک ترانزیستور نیمه هادی در مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد. این ترانزیستور دارای یک کانال P است، که به معنای ترانزیستوری با خصوصیت‌های P است.

مشخصات مهم P2503NPG عبارتند از:

• ولتاژP2503NPG سورس-درین (Drain-Source Voltage): حداکثر 30 ولت برای کانال P (منفی به علت حالت P)
• ولتاژ گیت-سورس (Gate-Source Voltage): تا ±20 ولت
• جریان مداوم درین (Continuous Drain Current): حداکثر 6 آمپر در دمای 70 درجه سانتیگراد
• جریان پالسی درین (Pulsed Drain Current): حداکثر 20 آمپر
• انرژی زوبالانچ (Avalanche Energy): 19 میلی‌جول

این ترانزیستور به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی و تقویت‌کننده جریان در مدارهای الکترونیکی مختلف مورد استفاده قرار می‌گیرد. ویژگی حالت افزایشی آن به این معناست که با اعمال ولتاژ گیت، جریان از سورس به درین افزایش می‌یابد. این نوع ترانزیستورها در انواع مدارها و برنامه‌های الکترونیکی برای کنترل جریان و تقویت سیگنال‌های الکتریکی استفاده می‌شوند.

مشخصات حداکثر مطلق P2503NPG:

• ولتاژ سورس-درین برای کانال N: 30 ولت
• ولتاژ سورس-درین P2503NPG برای کانال P: -30 ولت (منفی به علت حالت P)
• ولتاژ گیت-سورس (Gate-Source Voltage): ±20 ولت
• جریان مداوم درین (Continuous Drain Current) برای کانال N: 7 آمپر (در 25 درجه سانتیگراد)
• جریان مداوم درین (Continuous Drain Current) برای کانال P: -5 آمپر (منفی به علت حالت P)
• جریان پالسی درین (Pulsed Drain Current): 20 آمپر
• جریان زوبالانچ (Avalanche Current): 18 آمپر
• انرژی زوبالانچ (Avalanche Energy): 19 میلی‌جول

مشخصات الکتریکی P2503NPG:

• ولتاژ شکست P2503NPG سورس-درین  برای کانال N: 30 ولت
• ولتاژ شکست  سورس-درین (Drain-Source Breakdown Voltage) برای کانال P: -30 ولت
• ولتاژ آستانه گیت (Gate Threshold Voltage) برای کانال N: بین 1 و 2.5 ولت
• ولتاژ آستانه گیت (Gate Threshold Voltage) برای کانال P: بین -1 و -2.5 ولت

Texas instruments

برای دانلود PDF روی لینک کلیک کنید