IRF830
یک ترانزیستور MOSFET نوع N-channel است که توسط شرکتهای مختلفی مانند International Rectifier تولید میشود. این ترانزیستور به دلیل ویژگیهای خاص خود مانند ولتاژ بالا و توان تحمل بالا در کاربردهای مختلف سوئیچینگ و تقویتکنندگی به کار میرود.
ویژگیهاIRF830:
- نوع ترانزیستور: N-channel MOSFET
- ولتاژ درین-سورس (Vds): حداکثر 500 ولت
- جریان درین (Id): حداکثر 4.5 آمپر
- توان تلفاتی (Pd): حداکثر 74 وات
- مقاومت درین-سورس روشن (Rds(on)): حداکثر 1.5 اهم (در Vgs = 10 ولت)
- ولتاژ گیت-سورس (Vgs): حداکثر ±20 ولت
- بار گیت (Qg): 29 نانوکولن (typical)
- بستهبندی: TO-220
ویژگیهای متمایز
- ولتاژ بالا: قابلیت تحمل ولتاژ تا 500 ولت، که برای کاربردهای ولتاژ بالا مناسب است.
- توان تحمل بالا: با توان تلفاتی 74 وات، برای کاربردهای نیازمند به توان بالا مناسب است.
- مقاومت پایین در حالت روشن: Rds(on) نسبتاً پایین که منجر به کاهش تلفات در حالت روشن میشود.
- سوئیچینگ سریع: به دلیل بار گیت کم و قابلیت سوئیچینگ سریع، برای کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا مناسب است.
کاربردهاIRF830:
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS): به دلیل توان تحمل بالا و ویژگیهای سوئیچینگ سریع، در منابع تغذیه سوئیچینگ کاربرد دارد.
- مبدلهای DC-DC: برای تبدیل ولتاژ در کاربردهای DC-DC به کار میرود.
- مدارهای اینورتر: در اینورترهای ولتاژ بالا به کار میرود.
- کنترل موتور: در مدارهای کنترل موتورهای DC به دلیل قابلیت تحمل ولتاژ و جریان بالا استفاده میشود.
- تقویتکنندههای قدرت: به عنوان تقویتکننده در مدارهای RF و تقویتکنندههای توان بالا استفاده میشود.
- مدارهای رله حالت جامد: در مدارهای رله حالت جامد به دلیل قابلیت سوئیچینگ سریع و توان تحمل بالا کاربرد دارد.
نحوه استفاده
برای استفاده از IRF830، باید پایههای آن به درستی متصل شوند:
- پایه درین (D): به بار متصل میشود.
- پایه گیت (G): به مدار کنترلی متصل میشود که ولتاژ گیت را کنترل میکند.
- پایه سورس (S): به زمین یا ولتاژ مرجع متصل میشود.
در طراحی مدار با IRF830، باید دقت شود که ولتاژ و جریان ورودی در محدودههای مجاز باشد و خنکسازی مناسب برای ترانزیستور فراهم شود تا از گرم شدن بیش از حد جلوگیری شود. استفاده از هیت سینک میتواند به بهبود عملکرد و افزایش عمر ترانزیستور کمک کند.
نقد و بررسیها
پاکسازی فیلترهنوز بررسیای ثبت نشده است.