یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) نوع N-channel با ولتاژ حداکثر 600 ولت و جریان حداکثر 80 آمپر است که توسط Infineon Technologies تولید می‌شود. این ترانزیستور با ویژگی‌های مناسبش برای کاربردهای با توان بالا مانند اینورترها، منابع تغذیه سوئیچینگ، مدارهای کنترل موتور، و سیستم‌های قدرتی صنعتی استفاده می‌شود.
ویژگی‌هاG80N60UFD:
- ولتاژ کاری (Vces): حداکثر 600 ولت.
- جریان کاری (Ic): حداکثر 80 آمپر.
- توان تلفاتی (Pd): حداکثر 400 وات.
- ولتاژ گیت-سورس (Vge): حداکثر ±20 ولت.
- بار گیت (Qg): حدود 240 نانوکولن (تایپیکال).
- مقاومت درین-سورس (Rce(on)): حداکثر 150 میلی اهم (در Vge = 15 ولت، Ic = 40 آمپر).
کاربردهاG80N60UFD:
- اینورترها: برای تبدیل DC به AC در برنامه‌های توان بالا.
- منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS): برای تبدیل ولتاژ و جریان با کارایی بالا.
- مدارهای کنترل موتور: برای کنترل موتورهای القایی و دستگاه‌های الکتریکی با توان بالا.
- سیستم‌های قدرتی صنعتی: در برنامه‌هایی مانند اتوماسیون صنعتی، راه‌آهن، و صنایع سنگین.
توضیح:
G80N60UFD یک ترانزیستور قدرت با عملکرد بالا و کارایی بهینه است که برای کاربردهایی که نیاز به تحمل ولتاژ و جریان بالا دارند، مناسب است. این ترانزیستور با قابلیت سوئیچینگ سریع، کارایی بالا، و مقاومت کم درین-سورس، یک گزینه مناسب برای استفاده در مدارهای قدرت و الکترونیک قدرت بالاست.
این موارد ممکن است شامل ویژگی‌های دقیق ترانزیستور، کاربردها، مشخصات الکتریکی و فنی، و بیشتر باشد. برای دسترسی به اطلاعات دقیقتر، من پیشنهاد می‌دهم که به سایت تولیدکننده (مانند Infineon Technologies) مراجعه کنید یا منبع دیگری که معتبر است را برای اطلاعات بیشتر موردنظرتان مرور کنید.
نقد و بررسی‌ها
پاکسازی فیلترهنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.