2SK3878 یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) به کاربردهای تقویت و سوئیچینگ در انواع مدارهای الکترونیکی، به ویژه در کاربردهای منبع تغذیه‌ها و رگولاتورهای سوئیچینگ (Switching Regulator) استفاده می‌شود.
ویژگی‌های این ترانزیستور عبارتند از 2SK3878 :
- مقاومت پایین در مسیر سورس به درین (RDS (ON)): با مقدار تقریبی 1.0 اهم، این مقدار نشان دهنده مقاومت کم در مسیر سورس به درین در حالت فعال (ON) است. این ویژگی باعث کاهش افت ولتاژ در مسیر سوئیچینگ می‌شود.
- آدمیتانس فراگذاری جلو (Forward Transfer Admittance – Yfs): با مقدار تقریبی 7.0 سیمنس، این ویژگی نشان دهنده توانایی ترانزیستور در انتقال جریان از درین به سورس است.
- جریان نشتی کم: 2SK3878 با حداکثر مقدار 100 میکروآمپر در حالت مکمل (VDS = 720 V)، این ترانزیستور دارای جریان نشتی کم است.
- مدل افزایشی (Enhancement Model): با ولتاژ آستانه (Threshold Voltage – Vth) در بازه 2.0 تا 4.0 ولت در حالتی که ولتاژ دروازه به 10 ولت و جریان به 1 میلی‌آمپر باشد، این ترانزیستور به عنوان مدل افزایشی شناخته می‌شود.
حداکثر مقادیر مطلق (Absolute Maximum Ratings):
- ولتاژ دروازه-سورس (VDSS): 900 ولت
- ولتاژ دروازه-درین (VDGR): 900 ولت
- ولتاژ دروازه-سورس (VGSS): ±30 ولت
- جریان دروازه (ID): 9 آمپر (DC) / 27 آمپر (Pulse)
- توان دروازه (PD): 150 وات
- انرژی تک‌پالس آوالانش (EAS): 778 میلی‌ژول (مگاجول)
- 2SK3878 جریان آوالانش (IAR): 9 آمپر
- انرژی تکراری آوالانش (EAR): 15 میلی‌ژول (مگاجول)
- دمای کانال (Tch): 150 درجه سانتیگراد
- دامنه دمای ذخیره‌سازی (Tstg): -55 تا 150 درجه سانتیگراد
برای دانلود PDF روی لینک کلیک کنید
نقد و بررسی‌ها
پاکسازی فیلترهنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.