2SK3878 یک MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) به کاربردهای تقویت و سوئیچینگ در انواع مدارهای الکترونیکی، به ویژه در کاربردهای منبع تغذیه‌ها و رگولاتورهای سوئیچینگ (Switching Regulator) استفاده می‌شود.

ویژگی‌های این ترانزیستور عبارتند از 2SK3878 :

1. مقاومت پایین در مسیر سورس به درین (RDS (ON)): با مقدار تقریبی 1.0 اهم، این مقدار نشان دهنده مقاومت کم در مسیر سورس به درین در حالت فعال (ON) است. این ویژگی باعث کاهش افت ولتاژ در مسیر سوئیچینگ می‌شود.
2. آدمیتانس فراگذاری جلو (Forward Transfer Admittance – Yfs): با مقدار تقریبی 7.0 سیمنس، این ویژگی نشان دهنده توانایی ترانزیستور در انتقال جریان از درین به سورس است.
3. جریان نشتی کم: 2SK3878 با حداکثر مقدار 100 میکروآمپر در حالت مکمل (VDS = 720 V)، این ترانزیستور دارای جریان نشتی کم است.
4. مدل افزایشی (Enhancement Model): با ولتاژ آستانه (Threshold Voltage – Vth) در بازه 2.0 تا 4.0 ولت در حالتی که ولتاژ دروازه به 10 ولت و جریان به 1 میلی‌آمپر باشد، این ترانزیستور به عنوان مدل افزایشی شناخته می‌شود.

حداکثر مقادیر مطلق (Absolute Maximum Ratings):

• ولتاژ دروازه-سورس (VDSS): 900 ولت
• ولتاژ دروازه-درین (VDGR): 900 ولت
• ولتاژ دروازه-سورس (VGSS): ±30 ولت
• جریان دروازه (ID): 9 آمپر (DC) / 27 آمپر (Pulse)
• توان دروازه (PD): 150 وات
• انرژی تک‌پالس آوالانش (EAS): 778 میلی‌ژول (مگاجول)
• 2SK3878 جریان آوالانش (IAR): 9 آمپر
• انرژی تکراری آوالانش (EAR): 15 میلی‌ژول (مگاجول)
• دمای کانال (Tch): 150 درجه سانتیگراد
• دامنه دمای ذخیره‌سازی (Tstg): -55 تا 150 درجه سانتیگراد

toshiba

برای دانلود PDF روی لینک  کلیک کنید