IR2112S
IR2112S یک درایور برای کنترل MOSFET و IGBT با ویژگیهای برجسته است. ولتاژ کاری آن تا +600 ولت میرسد و از Floating channel برای Bootstrap operation بهره میبرد. ویژگیهایی همچون ولتاژ ورودی 20 ولتی، مهلت مقاوم در برابر تغییرات ولتاژ منفی (dV/dt immune) و Undervoltage lockout را داراست. ورودیهای منطقی آن باطرف CMOS هستند و با ولتاژ منطقی 3.3 تا 20 ولت سازگاری دارند. این درایور مناسب برای استفاده در کنترل MOSFET یا IGBT در حالت High-Side با تاخیرهای هماهنگ برای برنامههای با فرکانس بالا میباشد.
ویژگیها و کاربردهای IR2112S:
ویژگیها IR2112S :
- Floating Channel برای Bootstrap Operation:
- کاربرد موثر در Bootstrap با امکان کار با ولتاژ تا +600 ولت.
- ولتاژ کاری بالا:
- عملکرد کامل تا +600 ولت.
- مقاوم در برابر تغییرات ولتاژ منفی (dV/dt Immune):
- مقاوم در برابر تغییرات سریع ولتاژ منفی.
- ولتاژ تغذیه درایو 10 تا 20 ولت:
- نرخ تغذیه درایو از 10 تا 20 ولت با محدوده ولتاژ ورودی 3.3 تا 20 ولت.
- Undervoltage Lockout برای هر دو کانال:
- IR2112S حفاظت در برابر کاهش ولتاژ تغذیه.
- سازگاری با ورودیهای منطقی 3.3 ولت:
- ورودیهای منطقی باطرف CMOS با ولتاژ منطقی 3.3 تا 20 ولت.
- Matched Propagation Delay برای هر دو کانال:
- تاخیرهای هماهنگ برای سادهتر سازی استفاده در برنامههای با فرکانس بالا.
- مدارهای جداگانه برای هر دو نیمه پل:
- مزایای کنترل مستقل و مدیریت بهتر جریانها در نیمههای پل.
- سیگنالهای خروجی همفاز با سیگنالهای ورودی:
- خروجیهای سیگنالها در هماهنگ با سیگنالهای ورودی (IR2101) یا خلاف آن (IR2102).
- مقاوم در برابر شوک و لرزش:
- IR2112S مقاومت در برابر شوکها و لرزشهای محیطی.
کاربردها IR2112S :
- کنترل MOSFET و IGBT:
- برای کنترل MOSFET یا IGBT در انواع سیستمهای قدرت با ولتاژ بالا.
- سیستمهای تحت فشار:
- استفاده در سیستمهای قدرتی تحت فشار با توانایی مقاومت در برابر تغییرات ولتاژ و شرایط سخت.
- کاربردهای با فرکانس بالا:
- IR2112S مناسب برای برنامههای با فرکانس بالا با توجه به تاخیرهای هماهنگ و امکان Bootstrap operation.
- حوزههای صنعتی:
- استفاده در انواع حوزههای صنعتی از جمله صنعت برق، الکترونیک قدرت و کنترل موتورها.
برای دانلود PDF روی لینک کلیک کنید.
نقد و بررسیها
پاکسازی فیلترهنوز بررسیای ثبت نشده است.