BSH201-WJ6 یک ترانزیستور فلز-نیمه‌هادی (FET) است که معمولاً در مدارهای RF (رادیو فرکانس) و مدارهای مایکروویو استفاده می‌شود. این ترانزیستور از خانواده ترانزیستورهای MOSFET با تراشه سیلیکون (Si) ساخته شده است.
این ترانزیستور از بسته‌بندی SOT-23 دسترسی پیدا می‌کند که ابعاد کوچکی دارد و برای کاربردهایی که فضای محدودی در دسترس است مناسب است.
کاربردها:
- تقویت RF: BSH201-WJ6 برای تقویت سیگنال‌های فرکانس‌های رادیویی و مایکروویوی مورد استفاده قرار می‌گیرد، مانند در مدارهای فرستنده و گیرنده‌های وایرلس.
- کلیدزنی RF: این ترانزیستور به عنوان سوئیچ در مدارهای کلیدزنی RF استفاده می‌شود، که به طور مثال در سیستم‌های ارتباطات بی‌سیم و سنسورهای RF کاربرد دارد.
- کاربردهای RF Low-Noise: به عنوان یک ترانزیستور با سطح نویز کم در مدارهای RF با حساسیت بالا مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ویژگی‌ها:
- ولتاژ وابسته به سریعترین جریان درب: ولتاژ که ترانزیستور می‌تواند کنترل کند، معمولاً ولتاژ وابسته به سریعترین جریان درب نامیده می‌شود.
- جریان کنترلی درب (ID): حداکثر جریانی که می‌توان از درب به سرسیم ترانزیستور کنترل کرد.
- راندمان (گیگاهرتز): توانایی ترانزیستور در انتقال سیگنال‌های با فرکانس‌های بالا را نشان می‌دهد.
- نویز (dB): سطح نویز ترانزیستور در کاربردهای حساس RF بسیار مهم است و BSH201-WJ6 با توجه به ساختار MOSFET خود می‌تواند نویز کمی داشته باشد.
برای اطلاعات دقیق‌تر در مورد ویژگی‌ها و مشخصات فنی BSH201-WJ6، به دیتاشیت (datasheet) مراجعه کنید.
نقد و بررسی‌ها
پاکسازی فیلترهنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.