FDA59N30 یک ترانزیستور MOSFET از خانواده UniFETTM شرکت Fairchild Semiconductor است،
که بر پایه فناوری planar stripe و DMOS (Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) ساخته شده است.
این MOSFET به طور خاص برای کاهش مقاومت در حالت روشن (on-state resistance)، ارائه بهترین عملکرد سوئیچینگ و تقویت انرژی افالانچ (avalanche energy) مناسب شده است.
این خانواده از ترانزیستورها برای کاربردهای تبدیل توان مانند اصلاح فاکتور توان (PFC)، تغذیه تلویزیونهای صفحهای (FPD TV)، منابع تغذیه ATX و بالاستهای الکترونیکی مناسب میباشد.
ویژگیهاFDA59N30:
- مقاومت در حالت روشن (RDS(on)): 47 میکرواهم در حالت معمولی (Typ.) با ولتاژ درگیت تا 10 ولت و جریان درگیت تا 29.5 آمپر.
- شارژ گیت کم (Low Gate Charge): 77 نانوکولن (Typ.) که نشاندهنده حجم کمی از شارژ مورد نیاز برای کنترل گیت است، که میتواند سرعت سوئیچینگ را افزایش دهد.
- کرس خنثی کم (Low Crss): 80 پیکوفاراد (Typ.)، که نشاندهنده کم بودن ظرفیت خنثی (output capacitance) است و میتواند تأثیرات پویایی را کاهش دهد.
- تست 100% Avalanche: این تضمین میکند که ترانزیستور FDA59N30 در برابر افالانچ (سرک زمینه) مورد آزمایش قرار گرفته و پایداری در مقابل این پدیده را دارا است
- مقاومت در حالت خاموش (Off-State Leakage Current): مقاومت کم در حالت خاموش نیز از مزیتهای این ترانزیستور است که موجب کاهش اتلاف توان در حالت خاموش میشود.
- قابلیت سوئیچینگ با سرعت بالا: با توجه به کاهش شارژ گیت و مقاومت در حالت روشن، این ترانزیستور قابلیت سوئیچینگ با سرعت بالا را فراهم میکند که در کاربردهایی که نیاز به عملکرد سوئیچینگ سریع دارید، اهمیت دارد.
- مناسب برای Power Factor Correction (PFC) و سایر کاربردها: این ترانزیستور FDA59N30 به علت ویژگیهای خود، به خوبی در کاربردهای تصحیح فاکتور توان (PFC)، منابع تغذیه الکترونیکی، و تجهیزات صنعتی با نیاز به کنترل برق مورد استفاده قرار میگیرد.
- پایداری در برابر افالانچ: تست 100% Avalanche تضمین میکند که ترانزیستور در مقابل افالانچ مقاومت داشته و پایداری در مواجهه با این پدیده را دارا است.
برای دانلود PDF روی لینک کلیک کنید
نقد و بررسیها
پاکسازی فیلترهنوز بررسیای ثبت نشده است.